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[期刊论文]
SiGe/Si HBT高频噪声特性研究
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基于器件Y参数,对Si/Si1-xGexHBT的高频噪声进行了模拟。Si/Si1-xGexHBT的高频最小噪声系数随Ge组份x的增加而减小。与Si BJT相比,Si/SiGe HBT具有优异的高频噪声特性。
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来源 ：
微电子学
年份： 2006
期： 01
页码： 27-29
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