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外延膜层厚度的精确性对垂直腔面发射激光器(VCSEL)是十分重要的.应用传输矩阵方法分析了厚度偏差对半导体布拉格反射镜(DBR)反射谱的影响,并利用这种影响提出了一种金属有机化合物汽相淀积(MOCVD)制备布拉格反射镜精确确定外延厚度的方法.据此,应用MOCVD生长了980 nmVCSEL外延片,其反射谱中心波长为982 nm.结果表明,应用这种方法能够实现材料厚度、MOCVD系统生长参数的定标以及为VCSEL的材料生长提供可靠的依据.
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