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基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合
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对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2006
期： 6
卷： 27
页码： 1042-1045
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