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CF4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用
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键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果.
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来源 ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
年份： 2006
期： 4
卷： 31
页码： 250-252,263
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