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艾伟伟 (艾伟伟.) | 郭霞 (郭霞.) (学者:郭霞) | 刘斌 (刘斌.) | 董立闽 (董立闽.) | 刘莹 (刘莹.) | 宋颖娉 (宋颖娉.) | 沈光地 (沈光地.)

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摘要:

文中报道了绝缘蓝宝石衬底上的GaN基发光二极管(LEDs)中,由于横向电阻的存在造成了靠近n型电极台面边缘局部区域电流拥挤,为此从焦耳热和金属电迁移两方面研究了电流拥挤效应对器件可靠性的影响,加速寿命实验结果表明:电流均匀扩展可以使可靠性得到有效改善.

关键词:

GaN 发光二极管 可靠性 电流拥挤

作者机构:

  • [ 1 ] [艾伟伟]北京工业大学
  • [ 2 ] [郭霞]北京工业大学
  • [ 3 ] [刘斌]北京工业大学
  • [ 4 ] [董立闽]北京工业大学
  • [ 5 ] [刘莹]北京工业大学
  • [ 6 ] [宋颖娉]北京工业大学
  • [ 7 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

激光与红外

ISSN: 1001-5078

年份: 2006

期: 6

卷: 36

页码: 491-494,503

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