采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH)　的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm　的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长.　在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(In　carry-over　effect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量.　器件的阈值电流从界面改善前的560mA　减小到改善后的450mA,　斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A,　特别是单面最大输出功率已经从370mW　增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA　上升为1820mA.