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金冬月 (金冬月.) | 张万荣 (张万荣.) | 吴春瑜 (吴春瑜.)

收录:

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摘要:

从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应.研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响.进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情况,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)与这些因素的关系.结果表明,HBT的REmin要小于同质结双极晶体管(BJT)的REmin,因此,射频功率HBT将有更大的输出功率、功率增益和功率附加效率(PAE).

关键词:

I-V特性 异质结双极晶体管 自加热效应 镇流电阻

作者机构:

  • [ 1 ] [金冬月]辽宁大学
  • [ 2 ] [张万荣]北京工业大学
  • [ 3 ] [吴春瑜]辽宁大学

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来源 :

微电子学

ISSN: 1004-3365

年份: 2006

期: 3

卷: 36

页码: 288-291

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