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GaN基蓝光大功率发光二极管的研制
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采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm).其光学参数:总辐射功率143.19 mW,光通量8.86h,发光效率7.291m/W,峰值波长462m,半峰全宽24 nm;其电学参数:正向电压3.47V、正向电流350 mA.对相关工艺进行了简要讨论.
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来源 ：
激光与光电子学进展
ISSN： 1006-4125
年份： 2006
期： 8
卷： 43
页码： 41-43
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