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隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的计算
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建立了发光二极管提取效率的理论计算模型,分析了影响隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管提取效率的主要因素,包括从出光表面出射的光、体内的光吸收损耗、衬底对光的吸收损耗、金属电极对光的吸收损耗,模拟计算了隧道再生双有源区AlGaInP发光二极管的提取效率,计算得到隧道再生双有源区AlGaInP LED管芯的上有源区和下有源区提取效率分别为5．24％和9．16％。
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来源 ：
固体电子学研究与进展
年份： 2006
期： 01
页码： 80-84
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信息学部 电子科学与技术学院（微电子学院）
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