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用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜
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利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.
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来源 ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
年份： 2006
期： 10
卷： 55
页码： 5441-5443
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JCR@2022
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