高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
用射频溅射法制备立方氮化硼薄膜
作者：
收录：
摘要：
利用射频溅射方法在n型Si(111)衬底上制备出立方相含量接近100%且粘附性较高的立方氮化硼(c-BN)薄膜.傅里叶变换红外谱(FTIR)的结果表明,基底负偏压对薄膜立方相含量和薄膜压应力有很大影响,另外,衬底的电阻率对c-BN生长和薄膜的压应力也有一定的影响.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2005，半导体学报
2002，北京工业大学学报
2000，材料科学与工程
2001，物理学报
来源 ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
年份： 2006
期： 10
卷： 55
页码： 5441-5443
1 . 0 0 0
JCR@2022
ESI学科： PHYSICS;
JCR分区：2
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 4
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
理学部
全文获取
外部链接：
