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版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
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从实验上研究了版图尺寸对Si/SiGe HBT高频噪声特性的影响.结果表明,在现有工艺条件下,减少外基区电阻(即减少发射极与基区间距),对降低高频噪声很显著.增加基极条数、增加条长也可减少基极电阻,降低高频噪声.发射极条宽从2μm减少为1μm,对噪声的改善很有限.对1μm或2μm条宽,40μm条长的5个基极条或9个基极条的SiGe HBT,在片测试表明,频率从0.4 GHz增加到1.2 GHz,噪声系数在2.5～4.6 dB之间变化.
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2006，微电子学
来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2006
期： 5
卷： 36
页码： 598-600
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