In　this　paper,　silicon　oxynitride　is　deposited　through　plasma-enhanced　chemical　vapor　deposition　(PECVD)　to　serve　as　an　antireflection　passivation　layer.　We　have　studied　the　effects　of　the　deposition　temperature　(from　100　to　300　degrees　C)　on　the　electrical　and　optical　performances　of　GaN-LEDs.　It　is　found　that　the　light　output　of　GaN-LEDs　improves　greatly　after　the　deposition　of　SiON　antireflection　passivation　layer　at　200　degrees　C　and　is　better　than　that　of　GaN-LEDs　whose　layers　are　deposited　at　100　and　300　degrees　C.　The　electrical　properties　of　GaN-LED　do　not　degrade　at　100　and　200　degrees　C,　but　degrade　significantly　at　300　degrees　C.　(C)　2007　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.