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[期刊论文]
用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能
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常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.
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来源 ：
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ISSN： 1003-353X
年份： 2005
期： 10
卷： 30
页码： 19-21,45
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