高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
用离子注入工艺改善Si/SiGe HBT 高频噪声性能
作者：
收录：
摘要：
常规工艺制作的SiGe/Si HBT高频噪声性能不理想的主要原因是其基极电阻较大,为减小基极电阻从而达到改善其高频噪声的目的,本文采用离子注入自对准工艺方法进行器件制作,并测试出器件的直流与最小噪声系数有显著改善.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2010，电子与信息学报
2016，电子学报
2011，半导体技术
2013，微电子学
来源 ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
年份： 2005
期： 10
卷： 30
页码： 19-21,45
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 1
中文被引频次：
近30日浏览量： 4
归属院系：
信息学部
全文获取
外部链接：
