Hydrogenated　amorphous　silicon　(a-Si:H)　films　have　been　deposited　with　pure　silane　and　then　annealed　with　atomic　hydrogen　at　lower　temperature　(T-s　=　170　degrees　C)　in　a　novel,　hot　wire　assisted　microwave　electron　cyclotron　resonant　chemical　vapor　deposition　system　(HW-MWECR-CVD).　The　experimental　results　showed　that　the　total　hydrogen　concentration　(C-H)　in　the　film　decreased　with　H-2　flux　increase　in　the　atomic　hydrogen　anneal　(AHA)　step,　but　it　does　not　obviously　change,　keeping　at　about　3%　when　H-2　flux　increased　to　a　higher　value.　This　is　due　to　double　effects　of　AHA,　the　crystallization　effect　at　lower　substrate　temperature　and　the　rehydrogenation　effect　in　low　hydrogen　concentration　films.　Furthermore,　it　was　proposed　that　with　increasing　R　(R　=　1　/{F-hydrogen/(F-silane　+　F-hydrogen)},　in　which　F-silane　is　the　silane　gas　flux　in　first　film　synthesis　stage　and　F-hydrogen　is　the　hydrogen　gas　flux　during　the　annealing　step,　respectively.),　polyhydrides　such　as　SiHx　(x　=　2　or　3)　turn　into　monohydrides　SiH,　which　results　in　reducing　the　network　defects,　improving　the　film　microstructure　and　decreasing　the　optical　band　gap　from　1.644　to　1.557　eV.　(C)　2006　Elsevier　Ltd.　All　rights　reserved.