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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用
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使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A,输出功率在100 mW的器件.
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来源 ：
量子电子学报
ISSN： 1007-5461
年份： 2005
期： 1
卷： 22
页码： 81-84
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