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[期刊论文]
低噪声GaAs/A1GaAs多量子阱红外探测器
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提出了一种新结构的多量子阱红外探测器(QWIP).在常规多量子阱结构的基础上加入P型欧姆接触层,实现以小的隧道电流代替原有的大的补偿电流,从而减小器件的暗电流实现低噪声器件.对器件暗电流的理论计算与实验曲线符合的很好.制备了新结构器件,其噪声只是同结构的常规QWIP的1/3.
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来源 ：
光电子·激光
ISSN： 1005-0086
年份： 2005
期： 9
卷： 16
页码： 1018-1020
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