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[期刊论文]
Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展
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随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究.对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀、ICP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析.
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来源 ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
年份： 2005
期： 4
卷： 26
页码： 274-279
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