高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
作者：
收录：
摘要：
采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1 300 nm波段的新型长波长半导体光电子材料.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2005，半导体技术
2005，量子电子学报
2011，北京工业大学学报
1999，半导体学报
来源 ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
年份： 2005
期： 3
卷： 26
页码： 232-234,243
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 2
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
全文获取
外部链接：
