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[期刊论文]
应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
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采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱.对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1 300 nm波段的新型长波长半导体光电子材料.
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来源 ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
年份： 2005
期： 3
卷： 26
页码： 232-234,243
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