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周怀恩 (周怀恩.) | 陈光华 (陈光华.) | 朱秀红 (朱秀红.) | 阴生毅 (阴生毅.) | 胡跃辉 (胡跃辉.)

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摘要:

氢化非晶硅薄膜具有优异的光电特性,在制备薄膜太阳能电池中有重要的应用.本文采用热丝辅助MWECR CVD技术,通过调整各种工艺参数,制备了高沉积速率(DR>2.5nm/s)及高光敏性(σph/σD>105)的氢化非晶硅薄膜.实验表明,在衬底表面温度的分布中,热丝辐射和离子轰击引起的温度对薄膜的光敏性影响较大;在薄膜沉积的最后几分钟适当加大H2稀释率,有利于薄膜光电特性的改善.

关键词:

光敏性 氢化非晶硅 氢稀释率 电子回旋共振化学气相沉积

作者机构:

  • [ 1 ] [周怀恩]北京工业大学
  • [ 2 ] [陈光华]北京工业大学
  • [ 3 ] [朱秀红]北京工业大学
  • [ 4 ] [阴生毅]北京工业大学
  • [ 5 ] [胡跃辉]北京工业大学

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来源 :

人工晶体学报

ISSN: 1000-985X

年份: 2005

期: 3

卷: 34

页码: 471-474

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