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俞波 (俞波.) | 韩军 (韩军.) | 李建军 (李建军.) | 邓军 (邓军.) | 廉鹏 (廉鹏.) | 沈光地 (沈光地.)

收录:

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摘要:

对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较,指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点.介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL的器件研究情况.

关键词:

GaInNAs VCSEL 氮化物

作者机构:

  • [ 1 ] [俞波]北京工业大学
  • [ 2 ] [韩军]北京工业大学
  • [ 3 ] [李建军]北京工业大学
  • [ 4 ] [邓军]北京工业大学
  • [ 5 ] [廉鹏]北京工业大学
  • [ 6 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

半导体技术

ISSN: 1003-353X

年份: 2005

期: 2

卷: 30

页码: 21-24,29

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