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新型大功率双波长半导体激光器的研制
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提出了一种新结构半导体双波长激光器,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来.通过计算和设计,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器.双波长器件的实际激射波长分别为951 nm和987 nm,为基模激射.器件在530 mA直流工作时输出功率达到500 mW,斜率效率为1.33 W/A.在2 A电流时功率达2.4 W,斜率效率为1.38 W/A;3 A电流时功率达3.1 W,斜率效率为1.21 W/A.
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来源 ：
固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
年份： 2005
期： 1
卷： 25
页码： 129-132
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