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AlGaN/GaN HEMT低温直流特性研究
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研究了20℃～-70℃栅宽为100μm、栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.随温度降低,电子迁移率增大,而二维电子气密度基本不变,HEMT饱和漏电流IDsat增大;阈值电压低温时有所下降,在一定温度范围内变化不明显,其原因除栅肖特基势垒高度、AlGaN/GaN导带差发生变化外,还可能与器件制备工艺和源极串联电阻有关.
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来源 ：
微电子学与计算机
ISSN： 1000-7180
年份： 2005
期： 11
卷： 22
页码： 7-9
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