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董立闽 (董立闽.) | 郭霞 (郭霞.) (学者:郭霞) | 渠红伟 (渠红伟.) | 邓军 (邓军.) | 杜金玉 (杜金玉.) | 邹德恕 (邹德恕.) | 沈光地 (沈光地.)

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摘要:

AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验得到了一般氧化规律曲线,再通过结合一维Deal-Grove氧化动力学模型,对比一维条形、二维圆形凸、凹台面的氧化规律,推导出了简单实用的二维圆形台面的氧化模型,所得模型曲线与实验数据均吻合较好,并成功地运用此模型实现了对氧化孔大小的精确控制.

关键词:

AlGaAs VCSEL 湿法氧化

作者机构:

  • [ 1 ] [董立闽]北京工业大学
  • [ 2 ] [郭霞]北京工业大学
  • [ 3 ] [渠红伟]北京工业大学
  • [ 4 ] [邓军]北京工业大学
  • [ 5 ] [杜金玉]北京工业大学
  • [ 6 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 7 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

半导体学报

ISSN: 0253-4177

年份: 2005

期: z1

卷: 26

页码: 281-284

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