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[期刊论文]
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT 高频特性模拟分析
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给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算了器件的稳定性与工作频率之间的关系.为器件的设计和应用提供了理论依据.
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来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2005
期： 1
卷： 35
页码： 1-4
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