高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
基于小信号等效电路模型的SiGe HBT 高频特性模拟分析
作者：
收录：
摘要：
给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线,模拟结果与实测结果相吻合;根据电路的拓扑结构,分析了管壳封装带来的寄生参数对器件高频性能的影响;根据稳定性判据,计算了器件的稳定性与工作频率之间的关系.为器件的设计和应用提供了理论依据.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2010，微电子学
2011，北京工业大学学报
2011，微电子学
1999，半导体学报
来源 ：
微电子学
ISSN： 1004-3365
年份： 2005
期： 1
卷： 35
页码： 1-4
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 6
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
全文获取
外部链接：
