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摘要:

利用射频等离子体辅助分子束外延技术,在LSAT(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜.研究了衬底表面预处理及生长温度对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响.发现在较低温度下生长ZnO时,薄膜中容易形成30°旋转畴,而在较高温度下,可完全消除薄膜中的旋转畴,得到具有单一畴的ZnO单晶薄膜,讨论了旋转畴的起源以及生长温度对于消除旋转畴的作用.锐利的3×3 RHEED图像验证了ZnO薄膜具有O极性.

关键词:

LSAT(111) RF-MBE ZnO单晶薄膜 外延取向 旋转畴

作者机构:

  • [ 1 ] [英敏菊]中国科学院物理研究所
  • [ 2 ] [杜小龙]中国科学院物理研究所
  • [ 3 ] [刘玉资]中国科学院物理研究所
  • [ 4 ] [曾兆权]中国科学院物理研究所
  • [ 5 ] [梅增霞]中国科学院物理研究所
  • [ 6 ] [郑浩]中国科学院物理研究所
  • [ 7 ] [袁洪涛]中国科学院物理研究所
  • [ 8 ] [贾金锋]中国科学院物理研究所
  • [ 9 ] [薛其坤]中国科学院物理研究所
  • [ 10 ] [张泽]北京工业大学

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来源 :

半导体学报

ISSN: 0253-4177

年份: 2005

期: z1

卷: 26

页码: 82-86

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