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n-ZnO/p-GaN异质结界面工程
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宽禁带直接带隙半导体材料ZnO与GaN在晶体结构、晶格常数以及能带宽度等方面具有非常相似的特性.ZnO在高自由激子结合能(60meV)、适于湿法刻蚀以及对环境友好等方面具有优势,在短波长低阈值发光二极管(LED)以及激光二极管等方面具有广阔的应用前景[1].
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来源 ：
电子显微学报
ISSN： 1000-6281
年份： 2005
期： 4
卷： 24
页码： 340-341
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