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[期刊论文]
大直径单晶硅垂直磁场下的数值模拟
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为了研究磁场对晶体生长界面的形状、温度、氧的质量分数分布等的影响,本文采用低雷诺数的κ-ε湍流模型,对直径为200 mm、哈特曼数分别为0、500、1000和2000的大直径单晶硅进行了数值模拟．结果表明,垂直磁场能抑制熔体中的径向对流,并在一定程度上使子午面的流动减弱,氧的轴向减小,等温线变得更为平坦．当磁场强度过高时,熔体中氧的轴向增加,湍流程度也增加．
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来源 ：
北京工业大学学报
年份： 2006
期： S1
页码： 68-73
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材料与制造学部 机械工程与应用电子技术学院
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