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碳化硅纳米线中的一维无序结构
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控制合成一维纳米材料是当前纳米材料的研究热点,纳米线的物理、力学等性能与他们的微观结构和几何形貌是密切相关的.SiC纳米线由于具有优越的力学、热学、电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,在高温、高频、大功率及高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力,也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相,目前已经有大量文献报道合成SiC纳米线.
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来源 ：
电子显微学报
ISSN： 1000-6281
年份： 2005
期： 4
卷： 24
页码： 256
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