The　effects　of　plasma　hydrogenation　on　the　fabrication　of　nanocrystalline　cubic　silicon　carbide　(SiC)　thin　films　on　Si　(100)　are　investigated.　Our　results　indicate　that　plasma　hydrogenation　is　an　effective　method　to　reduce　the　deposition　temperature　and　to　improve　the　composition　and　microstructure　of　the　cubic　SiC　(beta-SiC)　thin　films.　In　particular,　the　crystal　particle　size　and　the　oxygen　diffusion　can　be　controlled.　The　mechanism　is　discussed.　(C)　2006　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.