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魏顺宇 (魏顺宇.) | 李志国 (李志国.) | 程尧海 (程尧海.) | 黄瑞毅 (黄瑞毅.) | 周敏 (周敏.)

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摘要:

针对双列直插封装的大功率MCM,建立了简化的热学模型;利用有限元数值方法,在ANSYS软件平台下,对其三维温场进行了稳态模拟和分析.模拟结果与测量值的误差为4.5%,表明设定的模型与实际情况符合较好.模拟结果表明,对于金属DIP封装的MCM,内热通路主要沿芯片背面向外壳底表面传递.

关键词:

多芯片组件 有限元 热分析 热模拟

作者机构:

  • [ 1 ] [魏顺宇]北京工业大学
  • [ 2 ] [李志国]北京工业大学
  • [ 3 ] [程尧海]北京工业大学
  • [ 4 ] [黄瑞毅]信息产业部电子第五研究所
  • [ 5 ] [周敏]信息产业部电子第五研究所

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相关关键词:

来源 :

微电子学

ISSN: 1004-3365

年份: 2005

期: 4

卷: 35

页码: 371-374

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