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于敦波 (于敦波.) | 丰家峰 (丰家峰.) | 杜永胜 (杜永胜.) | 韩秀峰 (韩秀峰.) | 严辉 (严辉.) | 应启明 (应启明.) | 张国成 (张国成.)

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摘要:

利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001)取向SrTiO3单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3(100nm)/La0.96Sr0.04MnO3(5nm)/La0.7Sr0.3MnO3(100nm)的隧道结外延薄膜,然后再次利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15nm)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和外加磁场8 T的测试下,La1-xSrxMnO3成分调制的复合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%,直接从实验上证实了铁磁性La07Sr0.3MnO3金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具有很好的半金属性质.

关键词:

La1-xSrxMnO3 半金属 复合磁性隧道路 成分调制 隧穿磁电阻

作者机构:

  • [ 1 ] [于敦波]北京有色金属研究总院
  • [ 2 ] [丰家峰]中国科学院物理研究所
  • [ 3 ] [杜永胜]北京工业大学
  • [ 4 ] [韩秀峰]中国科学院物理研究所
  • [ 5 ] [严辉]北京工业大学
  • [ 6 ] [应启明]北京有色金属研究总院
  • [ 7 ] [张国成]北京有色金属研究总院

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来源 :

物理学报

ISSN: 1000-3290

年份: 2005

期: 10

卷: 54

页码: 4903-4908

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