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沟槽栅低压功率MOSFET的发展(下)-减小优值FOM
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英文标题
THE DEVELOPMENT OF LOW-VOLTAGE TRENCH GATE POWER MOSFETS (PART II)-REDUCING FIGURE OF MERIT
英文摘要
翻译关键词
POWER SEMICONDUCTOY DEVICESON-RESIATANCEMOSFETFOM
分类号
TN386
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WF:perioarticalQK200402050913
语言
中文
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来源 ：
电力电子
年份： 2004
页码： 10-14
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