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摘要：
提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器,近场光斑宽度达到1μm,较普通半导体激光器提高了一个数量级,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题.采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs/InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构,并制备出器件,其垂直发散角为20°,阈值电流密度为277A/cm2,斜率效率在未镀膜时达到O.80W/A.
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