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应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延制备
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借鉴光波导设计的传输矩阵法思想,引入传输矩阵方法进行量子阱设计的应用,以980 nm半导体激光器用的应变量子阱为例,利用MOCVD外延生长技术设计生长了InGaAs/GaAs应变量子阱结构,测量PL谱峰值波长与设计波长吻合,X双晶衍射仪标定的量子阱组分和厚度基本与设计一致,从而验证了传输矩阵法用于量子阱设计是一种有效快捷的方法.
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来源 ：
固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
年份： 2004
期： 4
卷： 24
页码： 525-528,553
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