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MOCVD在位监测技术及其在VCSEL研制中的应用
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使用MOCVD技术生长了980 nm VCSEL,在GaAs/AlGaAs DBR对的生长过程中通过相干反射率测量方法实现了在位监测和实时校正生长.白光反射谱测量结果表明通过上述手段准确控制了外延层的光学厚度.外延生长结束后,制备了980 nm VCSEL,器件在室温下连续工作,输出功率为7.1 mW,激射波长为974 nm,斜率效率为0.462 mW/mA.
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来源 ：
固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
年份： 2004
期： 4
卷： 24
页码： 535-538
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