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[期刊论文]
C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长
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以CCl4为掺杂源,利用EMCORE D125 MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层.通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺C GaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等.
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来源 ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
年份： 2004
期： 4
卷： 25
页码： 271-273
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