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渠红伟 (渠红伟.) | 郭霞 (郭霞.) (学者:郭霞) | 黄静 (黄静.) | 董立闽 (董立闽.) | 廉鹏 (廉鹏.) | 邓军 (邓军.) | 朱文军 (朱文军.) | 邹德恕 (邹德恕.) | 沈光地 (沈光地.)

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摘要:

采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD),制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器.应用了选择氧化和自对准工艺来实现电流限制.在28mA脉冲电流驱动下,器件的输出功率为10.1mW,斜率效率为0.462mW/mA.脉冲工作下,最高输出功率为13.1mW.室温连续工作下,输出功率为7.1mW,发射波长为974nm,光谱半宽为0.6nm.研究了氧化孔径对阈值电流和微分电阻的影响,结果表明较小的氧化孔径可以获得低的阈值电流.

关键词:

垂直腔面发射激光器 氧化孔径 自对准工艺

作者机构:

  • [ 1 ] [渠红伟]北京工业大学
  • [ 2 ] [郭霞]北京工业大学
  • [ 3 ] [黄静]北京工业大学
  • [ 4 ] [董立闽]北京工业大学
  • [ 5 ] [廉鹏]北京工业大学
  • [ 6 ] [邓军]北京工业大学
  • [ 7 ] [朱文军]北京工业大学
  • [ 8 ] [邹德恕]北京工业大学
  • [ 9 ] [沈光地]北京工业大学

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来源 :

半导体学报

ISSN: 0253-4177

年份: 2004

期: 3

卷: 25

页码: 262-265

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