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[期刊论文]
MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究
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通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.
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来源 ：
功能材料
ISSN： 1001-9731
年份： 2004
期： z1
卷： 35
页码： 432-433
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