• 综合
  • 标题
  • 关键词
  • 摘要
  • 学者
  • 期刊-刊名
  • 期刊-ISSN
  • 会议名称
搜索

作者:

王磊 (王磊.) | 冷杉 (冷杉.) | 王波 (王波.) (学者:王波) | 黄安平 (黄安平.) | 李小换 (李小换.) | 朱满康 (朱满康.) | 严辉 (严辉.)

收录:

CQVIP PKU CSCD

摘要:

当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.

关键词:

ZnO薄膜 择优取向 磁控溅射

作者机构:

  • [ 1 ] [王磊]北京工业大学
  • [ 2 ] [冷杉]北京工业大学
  • [ 3 ] [王波]北京工业大学
  • [ 4 ] [黄安平]北京工业大学
  • [ 5 ] [李小换]北京工业大学
  • [ 6 ] [朱满康]北京工业大学
  • [ 7 ] [严辉]北京工业大学

通讯作者信息:

电子邮件地址:

查看成果更多字段

相关关键词:

相关文章:

来源 :

功能材料

ISSN: 1001-9731

年份: 2004

期: z1

卷: 35

页码: 1126-1127

被引次数:

WoS核心集被引频次: 0

SCOPUS被引频次:

ESI高被引论文在榜: 0 展开所有

万方被引频次: -1

中文被引频次:

近30日浏览量: 3

在线人数/总访问数:2780/2922684
地址:北京工业大学图书馆(北京市朝阳区平乐园100号 邮编:100124) 联系我们:010-67392185
版权所有:北京工业大学图书馆 站点建设与维护:北京爱琴海乐之技术有限公司