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a-Si:H薄膜的制备工艺对其光电特性的影响
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采用MW-ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜在模拟太阳光照射下进行光敏性(σp.σ d)和光致衰退测试.对比了有、无热丝辅助沉积的薄膜的光电特性,得出沉积温度是影响薄膜光敏性的主要因素,而适当温度的热丝辅助对于薄膜的光致衰退有一定延缓作用.
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来源 ：
功能材料
ISSN： 1001-9731
年份： 2004
期： z1
卷： 35
页码： 3198-3200,3204
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