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[期刊论文]
离子注入SI-GaAs做激光器被动调Q元件的研究
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本文从半导体材料GaAs的能级结构出发,探讨了GaAs做固体激光器被动调Q器件的可行性,对离子注入半绝缘GaAs用做Nd:YAG激光器中被动调Q元件的机理进行了实验研究,实验中腔型选择直腔式平平腔,Nd:YAG采用脉冲氙灯抽运,在腔型1Hz下获得了单脉冲宽度为62ns的调Q波形输出.
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来源 ：
应用光学
ISSN： 1002-2082
年份： 2004
期： 4
卷： 25
页码： 59-62
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