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半导体激光器端面泵浦Nd:YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜
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用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体--低温InGaAs (LT-In0.25 Ga0.75 As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz.
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来源 ：
半导体学报
ISSN： 0253-4177
年份： 2004
期： 12
卷： 25
页码： 1595-1598
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