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MWECR CVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究
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分别研究了磁场线圈电流为115.2和137.7A以及137.7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法,来改变单磁场线圈分散场MWECR CVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌.用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度.研究了磁场梯度对沉积a-Si:H薄膜性能的影响.研究表明:在衬底附近,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率;在温度不很高时,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a-Si:H薄膜.
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英文标题
Investigation of a-Si:H film characteristics influenced by magnetic field gradient in MWECR CVD plasma system
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O4
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WF:perioarticalwlxb200407046
语言
中文
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来源 ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
年份： 2004
期： 7
卷： 53
页码： 2263-2269
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JCR@2022
ESI学科： PHYSICS;
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