高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
勾形磁场下提拉法生产单晶硅的数值模拟
作者：
收录：
摘要：
本文给出了提拉单晶硅时,勾形磁场强度的计算公式,并对单晶硅在有无勾形磁场情况下熔体内流场和氧的浓度分布进行了数值模拟,计算出磁场作用下磁场强度和洛伦兹力及有无磁场时流函数、垂直截面处的速度场和氧的浓度分布.通过分析表明,勾形磁场能使流动更为平稳,能有效地降低熔体内及生长界面氧的浓度,并对产生这一现象的机理作了理论分析.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2005，无机材料学报
2005，半导体学报
2014，电子显微学报
来源 ：
人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
年份： 2004
期： 2
卷： 33
页码： 217-222
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 25
中文被引频次：
近30日浏览量： 2
归属院系：
全文获取
外部链接：
