高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
跨导为220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
作者：
收录：
摘要：
介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1 pm,获得最大跨导220 mS/mm.最大的漏源饱和电流密度0.72 A/mm.由S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为12 GHz和24 GHz.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2021，朱彦旭
2015，发光学报
2021，半导体光电
2013，发光学报
来源 ：
固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
年份： 2004
期： 2
卷： 24
页码： 209-211,257
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 16
中文被引频次：
近30日浏览量： 0
归属院系：
信息学部
全文获取
外部链接：
