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跨导为220mS/mm的AlGaN/GaN HEMT
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介绍了AlGaN/GaN HEMT器件的研制及室温下器件特性的测试.漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au,肖特基结金属为Pt/Au.器件栅长为1 pm,获得最大跨导220 mS/mm.最大的漏源饱和电流密度0.72 A/mm.由S参数测量推出器件的截止频率和最高振荡频率分别为12 GHz和24 GHz.
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来源 ：
固体电子学研究与进展
ISSN： 1000-3819
年份： 2004
期： 2
卷： 24
页码： 209-211,257
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