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利用质子辐照形成的集中于射程末端的高密度缺陷在退火时对铂的吸杂作用,实现了硅高压功率P-i-N二极管的局域铂掺杂.经过700 °C、半小时低温退火,在已进行质子辐照的样品中,铂会由铂硅合金阳极向器件内部扩散,并形成与质子辐照感生缺陷分布相似的铂的分布.最终,质子辐照缺陷峰附近处的铂浓度将会是缺陷拖尾区中铂浓度的1.5～2倍.与传统扩铂技术相比,用此新技术制成的P-i-N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电.
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