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离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模
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用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz.
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来源 ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
年份： 2004
期： 6
卷： 53
页码： 1810-1814
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JCR@2022
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