Electron　field　emissions　from　two　well　contrasted　phase　microstructures　of　magnetron-sputtered　boron　nitride　(BN)　films　on　Si　(100)　substrate,　characterized　by　the　Fourier　transform　infrared　(FTIR)　spectroscopy,　were　thoroughly　investigated　in　this　work.　Compared　with　a　mediocre　turn-on　field　of　about　18　V/mu　m　for　the　field　emission　from　a　pure　hexagonal　boron　nitride　(h-BN)　film,　a　remarkably　low　turn-on　field　of　about　5　V/mu　m　as　well　as　excellent　emission　current　density　has　been　observed　stably　from　a　highly　cubic　boron　nitride　(c-BN)　film.　Aside　from　the　geometric　field　enhancement,　the　excellent　field　emission　properties　of　high　cubic　phase　BN　may　originate　from　the　assisting　of　c-BN　phase　with　intrinsically　negative　electron　affinity　(NEA)　and　the　special　SP3　bonding　of　c-BN.　(c)　2006　Elsevier　B.V.　All　rights　reserved.