高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展
作者：
收录：
摘要：
ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2009，第十五届全国光散射学术会议
1986，北京工业大学学报
2014，科技纵览
2015，第16届全国氢能会议暨第8届两岸三地氢能研讨会
来源 ：
材料导报
ISSN： 1005-023X
年份： 2003
期： 2
卷： 17
页码： 35-37,75
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 24
中文被引频次：
近30日浏览量： 1
归属院系：
全文获取
外部链接：
