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[期刊论文]
半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展
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ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
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来源 ：
材料导报
ISSN： 1005-023X
年份： 2003
期： 2
卷： 17
页码： 35-37,75
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