高级检索
检索提示：高级检索多个条件检索时是按照顺序运算的：如 A或B与C 即:(A或B)与C
[期刊论文]
一种具有新耐压层结构的IGBT
作者：
收录：
摘要：
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT--低功耗IGBT.新结构用三重扩散的方法在n-单晶片上引入了n+缓冲层.保留了NPT-IGBT中薄而轻掺杂的背p+层和高载流子寿命的本质优点,同时又具有PT-IGBT中n-/n+双层复合的薄耐压层(即薄基区)的优点.计算机仿真得出,新结构IGBT的关断损耗比传统的IGBT减小50%左右.针对LPL-IGBT的创新点--新耐压层结构,我们还进行了优化仿真.
关键词：
作者机构：
通讯作者信息：
电子邮件地址：
相关关键词：
相关文章：
2001，半导体学报
2006，电力电子
2003，压电与声光
2003，中国激光
来源 ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
年份： 2003
期： 7
卷： 28
页码： 64-68
被引次数：
WoS核心集被引频次： 0
SCOPUS被引频次：
ESI高被引论文在榜： 0 展开所有
万方被引频次： 9
中文被引频次：
近30日浏览量： 0
归属院系：
全文获取
外部链接：
